ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਧੇਰੇ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਧੀ ਹੋਈ ਤੀਬਰਤਾ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਪਰ ਨਾਲ ਹੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਦੀ ਬਿਹਤਰ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ, ਮਿਨੀਏਟੁਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਘੱਟ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਦੇ ਨਾਲ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਉੱਚੀਆਂ ਹੋਣਗੀਆਂ, ਸਰਕਟ ਦੀ ਗੁੰਝਲਤਾ, ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਵਾਧੇ ਦੀ ਗਤੀ ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਕਾਰਨ ਸ਼ੋਰ ਦੇ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੋਵੇਗਾ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਵਧੇਰੇ ਗੰਭੀਰ ਹੈ, ਸ਼ੋਰ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਤਪਾਦਾਂ ਨੂੰ ਵੀ ਘਟਾਇਆ ਜਾਵੇਗਾ।
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਤਪਾਦ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ, ਹਾਈ-ਸਪੀਡ, ਅਤੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਇਹ ਯੰਤਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਖ਼ਤਰੇ ਲਈ ਪਹਿਲਾਂ ਨਾਲੋਂ ਜ਼ਿਆਦਾ ਕਮਜ਼ੋਰ ਹਨ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਘਰੇਲੂ ਉਪਕਰਣਾਂ ਅਤੇ ਦਫਤਰੀ ਆਟੋਮੇਸ਼ਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ, ਨਾਲ ਹੀ ਮੋਬਾਈਲ ਸੰਚਾਰ, ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਨੈਟਵਰਕ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਸਰੋਤ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਵਧਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਕੁਝ ਤਕਨੀਕੀ ਸਾਧਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦਾ ਇੱਕੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵਾਤਾਵਰਣ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰ ਸਕੇ, ਅਤੇ ਦੂਜੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਆਮ ਕੰਮ ਵਿੱਚ ਦਖਲ ਨਹੀਂ ਦਿੰਦਾ, ਜੋ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਅਨੁਕੂਲਤਾ (EMC) ਹੈ।
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦਾ ਖਾਤਮਾ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਸੁਰੱਖਿਆ ਦੋ ਸਾਧਨਾਂ ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਅਤੇ ਸਮਾਈ ਦੁਆਰਾ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਰਿਫਲਿਕਸ਼ਨ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਦੁਆਰਾ ਢਾਲ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਰਿਫਲਿਕਸ਼ਨ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਦੀ ਲੋੜ ਸਮੱਗਰੀ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਉੱਚ ਸੰਚਾਲਕ ਮੀਡੀਆ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਾਂਦੀ, ਤਾਂਬਾ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਲਈ, ਮੀਡੀਆ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਨਿਰੰਤਰ ਸੰਚਾਲਕ ਮਾਰਗ ਦਾ ਗਠਨ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਰਿਫਲਿਕਸ਼ਨ ਨੁਕਸਾਨ, ਰਿਫਲਿਕਸ਼ਨ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਇੱਕ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦਾ ਹੈ; ਲੋਹੇ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਸਟੀਲ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਉੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨਸ਼ੀਲਤਾ ਮੀਡੀਆ ਲਈ, ਸਮਾਈ ਢਾਲ ਇੱਕ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ, ਵਿਹਾਰਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਪੈਦਾ ਕਰੇਗੀ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਆਮ ਕੰਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦਾ ਬਾਹਰੀ ਸੰਸਾਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਿਤ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ.
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਅਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਆਪਸੀ ਤਾਲਮੇਲ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇੱਕ ਵਧੇਰੇ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਤਰੀਕਾ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਸਮਾਈ ਕੁਸ਼ਲਤਾ 'ਤੇ ਢਾਲ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਜਿੰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਸਕੇ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਗੁਆਉਣ ਲਈ. ਅੰਦਰ, ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੇ ਯੰਤਰਾਂ ਦੇ ਦਖਲ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣਾ. ਇਹ ਇਸ ਲਈ ਵੀ ਹੈ ਕਿ ਇਹਨਾਂ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਦਾ ਸਥਾਨ ਹੈ.
NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਮੱਧਮ ਮਿਸ਼ਰਣ ਦਾ ਬਣਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਸੋਖਣ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪ੍ਰਜੈਕਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਦੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਗਰਮੀ ਜਾਂ ਊਰਜਾ ਦੇ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਵਿੱਚ। ਹਲਕੇ ਭਾਰ, ਤਾਪਮਾਨ, ਨਮੀ ਅਤੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਾਲੀਆਂ ਚੰਗੀਆਂ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ, ਅੱਜ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਹਿੱਸੇ ਪਤਲੇ ਅਤੇ ਹਲਕੇ, ਛੋਟੇ ਰੁਝਾਨ, ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦਾ “ਪਤਲੀ ਸਮੱਗਰੀ, ਹਲਕਾ ਭਾਰ, ਚੌੜਾ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਬੈਂਡ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਤਾਕਤ” ਵੱਲ ਵਿਕਾਸ। ਇਤਆਦਿ. ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਧਾਰ ਸਮੱਗਰੀ (ਜਾਂ ਚਿਪਕਣ ਵਾਲੀਆਂ) ਅਤੇ ਸੋਖਣ ਵਾਲੇ ਮਾਧਿਅਮ (ਸ਼ੋਖਕ) ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਤੋਂ ਬਣੀਆਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ।
NFC ਸੋਖਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਨੂੰ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕਰੋ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸਿੱਧੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਨੂੰ ਘਟਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ 'ਤੇ ਐਨਐਫਸੀ ਅਬਜ਼ੋਰਬਰ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਸਮਾਈ ਜਾਂ ਅਟੈਨਯੂਏਸ਼ਨ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਯਾਨੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਨੁਕਸਾਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਗਰਮੀ ਜਾਂ ਊਰਜਾ ਦੇ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕੇ, ਤਾਂ ਜੋ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਮਾਈ ਹੋਵੇ।
NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਕਿਸਮ, ਹੇਠ ਲਿਖੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੀ ਮੁੱਖ ਧਾਰਾ ਵਰਗੀਕਰਣ: ① ਸਾਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕ, ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਮੀਡੀਆ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ, ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ, ਆਦਿ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕ ਕਿਸਮ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ; ਬੇਰੀਅਮ ਚਾਈਨੇਟ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੀ ਡਾਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਕਿਸਮ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ, ਇਸਦੀ ਵਿਧੀ ਮਾਧਿਅਮ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਧਰੁਵੀਕਰਨ, ਆਇਨ ਧਰੁਵੀਕਰਨ, ਅਣੂ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਜਾਂ ਇੰਟਰਫੇਸ ਧਰੁਵੀਕਰਨ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਾਇਰੋਪ੍ਰੈਕਟਿਕ, ਅਟੈਨਯੂਏਸ਼ਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸਮਾਈ; ਫੇਰਾਈਟ, ਅਲਟ੍ਰਾਫਾਈਨ ਮੈਟਲ ਪਾਊਡਰ, ਕਾਰਬੋਨੀਲ ਆਇਰਨ, ਆਦਿ ਚੁੰਬਕੀ ਮਾਧਿਅਮ ਕਿਸਮ ਨਾਲ ਸਬੰਧਿਤ ਹੈ, ਚੁੰਬਕੀ ਨੁਕਸਾਨ ਦੇ ਉੱਚ ਕੋਣ ਟੈਂਜੈਂਟ ਦੇ ਨਾਲ, ਹਿਸਟਰੇਸਿਸ ਨੁਕਸਾਨ, ਡੋਮੇਨ ਵਾਲ ਰੈਜ਼ੋਨੈਂਸ ਅਤੇ ਕੁਦਰਤੀ ਗੂੰਜ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਪ੍ਰਭਾਵ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਨੁਕਸਾਨ ਦਾ ਧਿਆਨ , ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦਾ ਸਮਾਈ. ② ਤਰੰਗ ਸਮਾਈ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਅਤੇ ਦਖਲ ਦੀ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਪਹਿਲਾ ਹਿੱਸਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸੋਖਣ 'ਤੇ ਖੁਦ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਬਾਅਦ ਵਾਲੀ ਸਤਹ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਹੈ ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਿਤ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਹੇਠਲੇ ਦੋ ਕਾਲਮ ਆਫਸੈੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਨਾਲ ਦਖਲ ਦਿੰਦੇ ਹਨ। ③ ਸਮੱਗਰੀ ਮੋਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਤੇ ਲੋਡ-ਬੇਅਰਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਕੋਟਿਡ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਢਾਂਚਾਗਤ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਕਿਸਮ ਬਾਈਂਡਰ ਅਤੇ ਧਾਤ, ਮਿਸ਼ਰਤ ਪਾਊਡਰ, ਫੇਰਾਈਟ, ਕੰਡਕਟਿਵ ਫਾਈਬਰ ਅਤੇ ਹੋਰ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਏਜੰਟਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਮਿਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਆਮ NFC ਸੋਖਕਐੱਸ
1. ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਮੈਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ NFC ਸੋਖਕ
ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਮੈਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਐਬਜ਼ੋਰਬਰਸ ਦੀ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਹੈ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ Fe, Co, Ni ਮੈਟਲ ਮੋਨੋਮਰਸ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਸੂਖਮ ਕਣਾਂ ਦਾ ਹਵਾਲਾ ਦਿੰਦਾ ਹੈ। ਧਾਤੂ ਪਾਊਡਰਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਚੁੰਬਕੀ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ ਕਾਲਪਨਿਕ ਭਾਗ ਅਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਨੁਕਸਾਨ ਕੋਣ ਟੈਂਜੈਂਟ ਮੁੱਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹਿਸਟਰੇਸਿਸ ਨੁਕਸਾਨ, ਐਡੀ ਮੌਜੂਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਕੁਦਰਤੀ ਗੂੰਜ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਅਤੇ ਘੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਹੋਰ ਵਿਧੀਆਂ ਦੁਆਰਾ।
ਆਮ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਧਾਤੂ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ ਸੋਖਕ ਹੁੰਦੇ ਹਨ: ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਹੈ ਕਾਰਬੋਨਾਇਲ ਮੈਟਲ ਪਾਊਡਰ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਾਰਬੋਨਾਇਲ ਫੇ ਪਾਊਡਰ, ਕਾਰਬੋਨਾਇਲ ਨੀ ਪਾਊਡਰ ਅਤੇ ਕਾਰਬੋਨਾਇਲ ਕੋ ਪਾਊਡਰ, ਆਦਿ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਕਣਾਂ ਦੇ ਆਕਾਰ 0.5-20 ਦੀ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਵੰਡੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। μm ਦੂਜੀ ਕਿਸਮ ਚੁੰਬਕੀ ਧਾਤ ਅਲਟਰਾਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਪਾਊਡਰ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੇ ਕਣਾਂ ਦੇ ਆਕਾਰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 20 nm ਤੋਂ 1.5 μm ਦੀ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ, ਕਟੌਤੀ, ਜੈਵਿਕ ਅਲਕੋਹਲ ਲੂਣ ਅਤੇ ਹੋਰ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਮੈਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ NFC ਅਬਜ਼ੋਰਬਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਕੁਝ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਆਸਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ, ਖਰਾਬ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉਪਜ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਆਸਾਨ, ਉੱਚ ਘਣਤਾ, ਘੱਟ-ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਬੈਂਡ ਸੋਖਣ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਮਾੜੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇਕੱਲੇ ਨਹੀਂ ਵਰਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ। ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ. ਇਸ ਲਈ, ਇਸ ਦੇ ਕਣ ਦੇ ਆਕਾਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣਾ, ਇਸਦੀ ਸਤਹ ਦੀ ਸੋਧ, ਡੋਪਿੰਗ, ਕੋਟਿੰਗ ਜਾਂ ਫਾਈਬਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਅਜਿਹੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਮੁੱਖ ਦਿਸ਼ਾ ਹੈ।
2. Ferrite NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ
ਫੇਰਾਈਟ ਦੋਹਰੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਦਾਰਥਾਂ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ, ਦੋਵੇਂ ਫੇਰੀਮੈਗਨੈਟਿਕ ਅਤੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਸਮਾਈ ਦਾ ਮੁੱਖ ਤੰਤਰ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਸਵੈ-ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੈ ਅਤੇ ਹਿਸਟਰੇਸਿਸ ਨੁਕਸਾਨ, ਡੋਮੇਨ ਕੰਧ ਗੂੰਜ ਅਤੇ ਕੁਦਰਤੀ ਗੂੰਜ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਚੁੰਬਕੀ ਗੁਣ ਹਨ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਫੈਰਾਈਟ ਨੂੰ ਸਪਿਨਲ ਕਿਸਮ, ਮੈਗਨੇਟਾਈਟ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਗਾਰਨੇਟ ਕਿਸਮ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਮੁੱਖ ਤੌਰ ਤੇ ਸਪਾਈਨਲ ਕਿਸਮ ਅਤੇ ਮੈਗਨੇਟਾਈਟ ਕਿਸਮ।
ਹਾਲਾਂਕਿ ਫੈਰੀਟ ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਕੋਲ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸਮਾਈ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਅਤੇ ਘੱਟ ਲਾਗਤ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ, ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਚ ਘਣਤਾ, ਮਾੜੀ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ, ਅਤੇ ਤੰਗ ਸਮਾਈ ਬੈਂਡ ਵੀ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੇ ਦਾਇਰੇ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਫੈਰਾਈਟ ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਉੱਤੇ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਖੋਜ ਨੈਨੋਸਾਈਜ਼ਿੰਗ, ਡੋਪਿੰਗ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ, ਸਤਹ ਸੋਧ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਮਿਸ਼ਰਤ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਿਤ ਹੈ।
3. ਨੈਨੋ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ
ਨੈਨੋ ਐੱਨ.ਐੱਫ.ਸੀ. ਐਬਜ਼ੋਰਬਰ ਨੈਨੋਸਕੇਲ 'ਤੇ ਇਕ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿਚ ਨਾ ਸਿਰਫ ਇਕ ਵੱਡਾ ਚੁੰਬਕੀ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਫੰਕਸ਼ਨ ਵੀ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਤਰੰਗ ਸੋਖਣ, ਤਰੰਗ ਪ੍ਰਸਾਰਣ, ਧਰੁਵੀਕਰਨ, ਆਦਿ। ਕੋਟਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ, ਅਤੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ਸਮਾਈ, ਚੌੜੀ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦੇ ਫਾਇਦਿਆਂ ਨੂੰ ਜੋੜਦੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਇਹ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਹੋਨਹਾਰ ਸਮਗਰੀ ਵੀ ਹੈ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਨੈਨੋ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕਾਂ 'ਤੇ ਘਰੇਲੂ ਅਤੇ ਵਿਦੇਸ਼ੀ ਖੋਜ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੈਨੋ-ਮੈਟਲ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਸੋਖਕ, ਨੈਨੋ ਆਕਸਾਈਡ ਸੋਖਕ, ਨੈਨੋ-ਸੀਰੇਮਿਕ ਸੋਖਕ, ਨੈਨੋ ਕੰਡਕਟਿਵ ਪੋਲੀਮਰ ਅਤੇ ਨੈਨੋ-ਮੈਟਲ ਅਤੇ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਮੀਡੀਅਮ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਐਬਜ਼ੋਰਬਰਸ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਿਤ ਹੈ।
4. ਲਾਈਟਵੇਟ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ
ਕਾਰਬਨ-ਅਧਾਰਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ NFC ਅਬਜ਼ੋਰਬਰ ਵਿੱਚ ਹਲਕੇ ਭਾਰ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਆਸਾਨ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਆਦਿ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ। ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਪੋਰਟੇਬਲ ਅਤੇ ਲਚਕਦਾਰ ਵਿਕਾਸ ਨੇ ਹਲਕੇ ਕਾਰਬਨ-ਅਧਾਰਤ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਸੋਖਣ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਲਈ ਹੋਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਰੱਖਿਆ ਹੈ। ਕਾਰਬਨ-ਅਧਾਰਤ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰ/ਪੋਲੀਮਰ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਟਿਊਬਜ਼/ਪੋਲੀਮਰ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ/ਪੋਲੀਮਰ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਟਿਊਬਜ਼/ਮੈਟਲ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ/ਮੈਟਲ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਅਤੇ ਮਲਟੀਫੰਕਸ਼ਨਲ ਕਾਰਬਨ-ਆਧਾਰਿਤ ਸਮੱਗਰੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।
ਉਹਨਾਂ ਵਿੱਚੋਂ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਕੋਲ ਵਧੇਰੇ ਸੰਚਾਲਕ ਚੈਨਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਬਹੁ-ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਅਤੇ ਸਮਾਈ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਰਾਹੀਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਢਾਲਦੇ ਹਨ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਵਿਧੀਆਂ ਵਿੱਚ ਘਟੀ ਹੋਈ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਵਿਧੀ, ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਐਕਸਫੋਲੀਏਸ਼ਨ ਵਿਧੀ, ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ। ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਸਮੱਗਰੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨਰਾਂ ਨੇ ਕੁਝ-ਲੇਅਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ (FLG) ਤਿਆਰ ਕਰਕੇ ਅਤੇ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਸੰਚਾਲਕ ਨੈਟਵਰਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਇਸ ਦੀਆਂ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਹੈ।
5. ਕੰਡਕਟਿਵ ਪੌਲੀਮਰ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕਐੱਸ
ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ ਘੱਟ ਘਣਤਾ, ਆਸਾਨ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ, ਘੱਟ ਲਾਗਤ, ਵੱਡੇ ਖੇਤਰਾਂ ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨ ਲਈ ਆਸਾਨ, ਅਤੇ ਵਿਭਿੰਨ ਬਣਤਰਾਂ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਏ ਗਏ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਮੀ ਲਿਆ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਸੰਯੁਕਤ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸਦੀ ਸੰਚਾਲਕਤਾ ਇੰਸੂਲੇਟਰ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਮੈਟਲ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਬਦਲ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਸਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਮਾਪਦੰਡ ਪੌਲੀਮਰ ਦੀ ਮੁੱਖ ਚੇਨ ਬਣਤਰ, ਅੰਦਰੂਨੀ ਚਾਲਕਤਾ, ਡੋਪੈਂਟ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਕਾਰਕਾਂ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਰਵਾਇਤੀ ਧਾਤੂ ਤਰੰਗਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਵਿਕਲਪ ਹੈ। -ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ, ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ।
ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ NFC ਸੋਖਕ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡੇ ਗਏ ਹਨ। ਪੌਲੀਐਨਲਿਨ, ਪੌਲੀਪਾਈਰੋਲ, ਪੋਲੀਥੀਓਫੀਨ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸੋਧੇ ਹੋਏ ਅੰਦਰੂਨੀ ਪੌਲੀਮਰਾਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੁਆਰਾ ਉਤਪੰਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਚਾਲਕਤਾ ਅਤੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਆਸਾਨ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਸੰਯੁਕਤ ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰਾਂ ਵਿੱਚ ਧਾਤ-ਅਧਾਰਤ ਸੰਚਾਲਕ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ, ਕਾਰਬਨ ਅਧਾਰਤ ਸੰਚਾਲਕ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸੰਚਾਲਕ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਵੀ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ। ਸੰਚਾਲਕ ਜਾਂ ਗੈਰ-ਸੰਚਾਲਕ ਪੌਲੀਮਰ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਵਿੱਚ ਧਾਤਾਂ, ਧਾਤ ਦੇ ਆਕਸਾਈਡ ਜਾਂ ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸੁਧਾਰ ਸਕਦੇ ਹਨ।
6. ਵਸਰਾਵਿਕ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ
ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਵਸਰਾਵਿਕ ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ, ਚੁੰਬਕੀ ਧਾਤ ਦੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਪਾਊਡਰ, ਫੇਰਾਈਟ, ਆਦਿ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਕਿਸਮ ਦੀ ਤਰੰਗ ਸੋਖਣ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹਨ। ਤਰੰਗ ਸੋਖਣ ਪ੍ਰਭਾਵ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਉਹ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਘਟਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਮੁੱਖ ਭਾਗਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ। ਮਲਟੀ-ਬੈਂਡ ਸ਼ੋਸ਼ਕਾਂ ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਘਣਤਾ ਵੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਥਿਰਾਂਕ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸਾਰੀਆਂ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਇਸ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਨੂੰ ਤਿਆਰੀ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਕੇ ਨਿਯੰਤ੍ਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਤਰੰਗਾਂ ਦੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ- ਜਜ਼ਬ ਸਮੱਗਰੀ. ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਵਸਰਾਵਿਕ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਅਤੇ ਵਿਦੇਸ਼ੀ ਖੋਜ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ, ਐਲੂਮਿਨਾ, ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਬੋਰੋਸਿਲੀਕੇਟ ਅਤੇ ਬੇਰੀਅਮ ਟਾਈਟਨੇਟ, ਆਦਿ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਉੱਚ ਪੱਧਰ ਦੀ ਚਿੰਤਾ SiC ਹੈ, ਪਰ SiC ਦੀ ਰਵਾਇਤੀ ਤਿਆਰੀ ਹੇਠਲੇ ਹਿੱਸੇ ਦੇ ਪਾਊਡਰ ਵੇਵ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਗੁਣ, ਇੱਕ ਤਸੱਲੀਬਖਸ਼ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਡੋਪ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ!
