ਜਿਵੇਂ-ਜਿਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਅਤੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਵਧਦੀ ਹੈ, ਹਰੇਕ ਯੰਤਰ ਦੁਆਰਾ ਉਤਪੰਨ ਗਰਮੀ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਵਧਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਨਾਲ ਨਿਕਾਸ, ਵਿਗਾੜਨਾ ਅਤੇ ਠੰਡਾ ਕਰਨਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਮੋਬਾਈਲ ਉਤਪਾਦਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ 5G ਸਮਾਰਟਫ਼ੋਨ ਅਤੇ AR/VR ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਲਈ, ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ICs ਅਤੇ ਉੱਚ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਜੋ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਗਰਮੀ ਦੇ ਵਿਗਾੜ ਦੇ ਭਾਗਾਂ ਲਈ ਸੀਮਤ ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸਪੇਸ ਬਣਦੇ ਹਨ। ਕੇਸ ਦੇ ਅੰਦਰ ਮਾਊਂਟਿੰਗ ਸਪੇਸ ਨੂੰ ਸੀਮਿਤ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, TIM ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਹੱਲ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਥਰਮਲੀ ਕੰਡਕਟਿਵ ਸਪੇਸਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਰਾਬੀ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਢੰਗ ਨਾਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
NFC ਸੋਖਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਇਸਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ ਜਾਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘੱਟ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਦਖਲ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਉੱਚ ਸਮਾਈ ਦਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ਾਲ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਪਰ ਇਸਦੇ ਲਈ ਇੱਕ ਹਲਕਾ ਭਾਰ, ਤਾਪਮਾਨ, ਨਮੀ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੋਣ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਆਧੁਨਿਕ ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਨਾਲ, ਵਾਤਾਵਰਣ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਵੱਧ ਰਿਹਾ ਹੈ। ਹਵਾਈ ਅੱਡੇ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲ ਅਤੇ ਖੁੰਝ ਜਾਣ ਕਾਰਨ ਉਡਾਣਾਂ ਨਹੀਂ ਉਡਾ ਸਕਦੀਆਂ; ਹਸਪਤਾਲਾਂ ਵਿੱਚ, ਸੈਲ ਫ਼ੋਨ ਅਕਸਰ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕ ਅਤੇ ਉਪਚਾਰਕ ਯੰਤਰਾਂ ਦੇ ਆਮ ਕੰਮ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਲਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਦਾ ਇਲਾਜ, ਅਜਿਹੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਭਾਲ ਕਰਨਾ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਅਤੇ ਕਮਜ਼ੋਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ - ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ, ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਮੁੱਦਾ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਭਾਵ, ਗੈਰ-ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਤੇ ਸੰਚਤ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੁਆਰਾ ਮਨੁੱਖੀ ਸਰੀਰ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ ਅਤੇ ਅਸਿੱਧੇ ਨੁਕਸਾਨ ਪਹੁੰਚਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਖੋਜ ਨੇ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਹੈ ਕਿ ਫੈਰਾਈਟ ਵੇਵ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਹੈ, ਜੋ ਉੱਚ ਸਮਾਈ ਬੈਂਡ, ਉੱਚ ਸਮਾਈ ਦਰ ਅਤੇ ਪਤਲੀ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀ ਮੋਟਾਈ ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਈ ਗਈ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਵਿੱਚ ਇਸ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲੀਕ ਹੋਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ. ਘੱਟ ਚੁੰਬਕੀ ਦਿਸ਼ਾ ਤੋਂ ਉੱਚ ਚੁੰਬਕੀ ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਦਿਸ਼ਾ ਤੱਕ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਦੇ ਨਿਯਮ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨਸ਼ੀਲਤਾ ਫੇਰਾਈਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਗੂੰਜ ਦੁਆਰਾ, ਚਮਕਦਾਰ ਊਰਜਾ ਦੀ ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਸਮਾਈ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਜੋੜ ਕੇ। ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਵਿੱਚ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ, ਦੋ ਮੁੱਦਿਆਂ 'ਤੇ ਵਿਚਾਰ ਕਰਨ ਲਈ, 1), ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਆਈਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ, ਜਿੱਥੋਂ ਤੱਕ ਸੰਭਵ ਹੋਵੇ, ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਤ੍ਹਾ ਰਾਹੀਂ; 2), ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਵਿੱਚ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਜਿੰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਸਕੇ ਬਣਾਉਣ ਲਈ।
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਤਪਾਦ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਦੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਰੇਡੀਏਟ ਕਰਨਗੇ, ਜੋ ਕਿ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਗੁਆਂਢੀ ਸਰਕਟਾਂ ਅਤੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਜਾਣਕਾਰੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਦੀਆਂ ਗਲਤੀਆਂ, ਨਿਯੰਤਰਣ ਅਸਫਲਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਵਰਗੀਆਂ ਦੁਰਘਟਨਾਵਾਂ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਹਵਾਈ ਜਹਾਜ ਸਮੇਂ ਸਿਰ ਟੇਕ ਆਫ ਨਾ ਕਰ ਸਕਣ, ਹਸਪਤਾਲ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਡਾਇਗਨੌਸਟਿਕ ਅਤੇ ਇਲਾਜ ਦੇ ਯੰਤਰ ਸਹੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਕੰਮ ਨਾ ਕਰ ਸਕਣ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਲਈ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ, ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਨਾ ਸਿਰਫ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੇ ਹਿੱਸੇ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਬਲਕਿ ਇਸ ਵਿੱਚ ਹਲਕੇ ਭਾਰ, ਨਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵੀ ਹਨ. .
ਦੇ ਚੰਗੇ ਸਮਾਈ ਲਈ ਦੋ ਹਾਲਾਤ NFC ਸੋਖਕ ਸਮੱਗਰੀ
- ਕਿਸੇ ਘਟਨਾ ਵਾਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਿਤ ਕੀਤੇ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ, ਭਾਵ, ਸਮੱਗਰੀ ਦੀਆਂ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।
- ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਅੰਦਰਲੇ ਹਿੱਸੇ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੋਣ ਵਾਲੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਦੂਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਸ਼ਰਤ 1) ਮੁਫਤ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਵਿਧੀ ਦੀ। ਕੀ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਖਾਲੀ ਹਿੱਸੇ ਦੇ ਇੰਪੁੱਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸੀਮਾ ਸਥਿਤੀਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਹੈ, ਇੰਟਰ-ਵੇਵ ਇੰਪੀਡੈਂਸ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ, ਯਾਨੀ ਰਿਫਲਿਕਸ਼ਨ ਗੁਣਕ R = 0, ਮੌਜੂਦਾ ਅਬਜ਼ੋਰਬਰ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਸ਼ਰਤ ਨੂੰ ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਕਰਨਾ ਔਖਾ ਹੈ; ਜਦਕਿ ਸਥਿਤੀ ਨੂੰ ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਕਰਨ ਦਾ ਤਰੀਕਾ 2) ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵੱਡਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ।
ਅਭਿਆਸ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਦੋ ਲੋੜਾਂ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਿਰੋਧਾਭਾਸੀ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਐਨਐਫਸੀ ਸੋਖਕ ਸੋਖਣ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਆਸਾਨ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਲਈ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵਿੱਚ ਮੋਟਾਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਅਤੇ ਬਣਤਰ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। . ਮਲਟੀ-ਲੇਅਰ ਬਣਤਰ ਦੀ ਆਮ ਚੋਣ, ਤਾਂ ਜੋ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਹਰੇਕ ਪਰਤ ਦੀ ਸਤਹ ਤੋਂ ਹੇਠਲੀ ਪਰਤ ਦੇ ਤਲ ਤੱਕ ਅੜਿੱਕਾ ਹੋਵੇ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦਾ ਮਾਰਗਦਰਸ਼ਨ ਕਰਨ ਲਈ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੰਪੁੱਟ ਰੁਕਾਵਟ ਅਤੇ ਸਥਾਨਿਕ ਤਰੰਗ ਰੁਕਾਵਟ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀ ਹੋਵੇ। ਅੰਦਰਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ, ਪਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸਮਾਈ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਦੀ ਵਿਵਸਥਾ ਦੁਆਰਾ ਵੀ।
ਘਟਨਾ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਅੰਦਰਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਨੂੰ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕਰਨ ਲਈ, ਨਾ ਕਿ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ 'ਤੇ ਇਸਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ, ਯਾਨੀ, ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਅੜਿੱਕੇ ਦੇ ਮੇਲ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ; ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੇ ਅੰਦਰ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਲਗਭਗ ਸਾਰੀਆਂ ਨੂੰ ਘੱਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਯਾਨੀ, ਐਟੈਨਯੂਏਸ਼ਨ ਮੈਚਿੰਗ। Attenuation ਮੈਚਿੰਗ ਰੋਧਕ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ; ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ ਦੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ, ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨੁਕਸਾਨ ਵੀ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ; ਇਹ ਵੀ ਚੁੰਬਕੀ ਨੁਕਸਾਨ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਹਿਸਟਰੇਸਿਸ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਵਿੱਚ, ਨਮੀ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਹੋਰ। ਇਸ ਲਈ, ਇੱਕ ਚੰਗੀ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਮੁਸ਼ਕਿਲ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੋਖ ਲੈਂਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਸਾਰਿਆਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ।
NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਇਸਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਅਨੁਮਾਨਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦੇ ਢੰਗਾਂ, ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਨੂੰ ਗਰਮੀ ਜਾਂ ਊਰਜਾ ਦੇ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਰਾਹੀਂ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਨੂੰ ਸੋਖਣ ਦੇ ਉਦੇਸ਼ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ। ਲਹਿਰਾਂ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦੀ ਉੱਚ ਸਮਾਈ ਦਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਨਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਹਲਕਾ ਭਾਰ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਮਾਧਿਅਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵਿਧੀਆਂ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਿਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ: ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸੋਖਣ ਦੀ ਗੂੰਜ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਫੈਲਾਅ, ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਵੋਰਟੈਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ।
- ਨਰਮ ਅਤੇ ਅਟੁੱਟ, ਹਲਕਾ ਅਤੇ ਪਤਲਾ, ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅਤੇ ਕੱਟਣ ਵਿੱਚ ਆਸਾਨ, ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਆਸਾਨ, ਛੋਟੀਆਂ ਥਾਵਾਂ 'ਤੇ ਸਥਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
- ਚੰਗੀ ਤਰੰਗ ਸਮਾਈ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਉਤਪਾਦ ਨੂੰ ਧਾਤ ਦੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਬੰਨ੍ਹਣ ਜਾਂ ਦਬਾਉਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
- ਉਤਪਾਦ ਅਕਾਰ ਅਤੇ ਆਕਾਰਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ਾਲ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਵਿੱਚ ਉਪਲਬਧ ਹਨ।
- ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਲਚਕਤਾ.
- ਹੈਲੋਜਨ-ਮੁਕਤ, ਲੀਡ-ਮੁਕਤ, RoHs ਨਿਰਦੇਸ਼ਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਉਤਪਾਦ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:
- ਮੋਬਾਈਲ ਉਪਕਰਣਾਂ ਲਈ ਲਚਕਦਾਰ ਕੇਬਲਾਂ ਲਈ ਸ਼ੋਰ ਵਿਰੋਧੀ ਮਾਪ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। (ਲੈਪਟਾਪ ਕੰਪਿਊਟਰ, ਗੇਮ ਕੰਸੋਲ, ਸੈਲੂਲਰ ਫੋਨ, ਆਦਿ)
- ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਤੋਂ ਰੇਡੀਏਟਿਡ ਸ਼ੋਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ। (CPU-ਉਤਪੰਨ ਸ਼ੋਰ, ਆਦਿ)
- ਸੈੱਲ ਫੋਨ ਤੋਂ ਮਨੁੱਖੀ ਸਰੀਰ ਤੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ (SAR) ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
- ਢਾਲ ਵਾਲੇ ਫਰੇਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਅੰਦਰੂਨੀ EMI (ਰੈਸੋਨੈਂਸ, ਕ੍ਰਾਸਸਟਾਲ) ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
- ਘੱਟ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਜੋੜੀ ਸੰਚਾਲਨ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੀ ਕਮੀ, ਘੱਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਈਕੋ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੀ ਕਮੀ।
NFC ਸੋਖਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਲੈਪਟਾਪ, ਸੈਲ ਫ਼ੋਨ ਅਤੇ ਸੰਚਾਰ ਅਲਮਾਰੀਆਂ ਦੇ ਅੰਦਰ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
- ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰਾਂ ਤੋਂ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਅਤੇ ਸ਼ੋਰ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
- ਘੱਟ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਜੋੜੀ ਕੰਡਕਸ਼ਨ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਅਤੇ ਘੱਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਈਕੋ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਤੋਂ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
- ਬੈਰੀਅਰ ਫਰੇਮ ਦੇ ਅੰਦਰ ਅੰਦਰੂਨੀ EMI (ਰੈਸੋਨੈਂਸ, ਕ੍ਰਾਸਸਟਾਲ) ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
- ਚਿੱਪ ਅਤੇ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਮੋਡੀਊਲ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ।
- EMI/RFI ਦੀ ਵਰਤੋਂ: EMI (ਇਲੈਕਟਰੋ ਮੈਗਨੇਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ): ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਵਜੋਂ ਅਨੁਵਾਦ ਕੀਤਾ ਗਿਆ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਤਿੰਨ ਤੱਤ: ਦਖਲ ਸਰੋਤ, ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਪ੍ਰਸਾਰ ਮਾਰਗ ਅਤੇ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਉਪਕਰਣ। ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦਾ ਸਰੋਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਜਾਂ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ, ਕੇਬਲ, ਸਪੇਸ, ਆਦਿ ਸਮੇਤ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਮਾਰਗਾਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਉਪਕਰਣ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਜਾਂ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਲਈ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਟਰਾਂਸਮਿਟ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਇੰਟਰਫਰੈਂਸ (RF ਇੰਟਰਫਰੈਂਸ): ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਅਲਟਰਨੇਟਿੰਗ ਕਰੰਟ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। RF ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੁਆਰਾ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਸਮਾਨ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੀਆਂ ਦੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਦੁਆਰਾ ਇੱਕੋ ਸਮੇਂ ਵਿੱਚ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਨਗੀਆਂ। ਭੇਜਣ ਵਾਲੇ ਸਟੇਸ਼ਨ ਦੇ ਨੇੜੇ ਸਥਾਨ ਵਿੱਚ ਹਾਰਮੋਨਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਹੋਵੇਗੀ। ਹੋਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ। ਇੱਕੋ ਹੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਇੱਕ ਰੇਡੀਓ ਸਟੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਦਖਲ ਦੇ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ।
NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਅਤੇ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਤਰ
ਢਾਲਣ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਦੋ ਸਪੇਸ ਖੇਤਰਾਂ, ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਇੱਕ ਖੇਤਰ ਦੁਆਰਾ ਦੂਜੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇੱਕ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦੇ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਅਤੇ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਧਾਤ ਨੂੰ ਅਲੱਗ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹੈ। ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਢਾਲ ਵਾਲੇ ਸਰੀਰ ਨੂੰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਸਮੱਗਰੀ। ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਬਾਡੀ ਮੈਟਾ-ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ, ਸਰਕਟਾਂ, ਅਸੈਂਬਲੀਆਂ, ਕੇਬਲਾਂ, ਜਾਂ ਘੇਰੇ ਹੋਏ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਹੋਵੇਗੀ, ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡਾਂ ਨੂੰ ਬਾਹਰੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ, ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਬਾਡੀ ਦੇ ਨਾਲ ਸਰਕਟ, ਉਪਕਰਣ ਜਾਂ ਸਿਸਟਮ ਨੂੰ ਲਪੇਟਿਆ ਜਾਵੇਗਾ, ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਬਾਹਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਖੇਤਰਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ। ਤਰੰਗ-ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਅੰਦਰ ਅਤੇ ਬਾਹਰ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ, ਪਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਜ਼ਰੂਰੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਨਹੀਂ ਕਰ ਰਹੀਆਂ ਹਨ, ਪਰ ਜਾਂ ਤਾਂ ਸੋਖ ਕੇ ਜਾਂ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰ ਰਹੀਆਂ ਹਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ ਪਹੁੰਚਣ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ਘਟ ਜਾਵੇ। ਇਹ ਕਿਹਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ NFC ਸ਼ੋਸ਼ਕ ਨੂੰ ਸੋਖਣ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਸਰੋਤ ਦੇ ਸਮਾਨ ਪਾਸੇ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ, ਜਿੰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਸਕੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਢਾਲਣ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਲਈ ਹੈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਸਰੋਤ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਸਰੋਤ ਦਾ ਦੂਜਾ ਪਾਸਾ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਜਿੰਨਾ ਸੰਭਵ ਹੋ ਸਕੇ ਘੱਟ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਉਦਯੋਗ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਬਦਲ ਰਿਹਾ ਹੈ, ਜੋ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮਰਾਂ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸਾਰੀਆਂ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਲਿਆਉਂਦਾ ਹੈ। 5G ਵਿੱਚ, ਆਟੋਮੋਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ, ਆਟੋਮੈਟਿਕ ਡਰਾਈਵਿੰਗ, ਡਰੋਨ, AI, AR/VR ਅਤੇ ਹੋਰ ਰੁਝਾਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਤਪਾਦ ਦੁਹਰਾਉਣਾ ਅਤੇ ਅੱਪਡੇਟ ਕਰਨਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖਣਗੇ, ਚਿੱਪ ਦੀਆਂ ਅੰਕਗਣਿਤ ਲੋੜਾਂ ਵੱਧ ਹਨ, ਵਧੀ ਹੋਈ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ, ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ, ਗਰਮੀ ਦੀ ਖਪਤ ਅਤੇ ਹੋਰ ਮੁੱਦਿਆਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ, ਜੋ ਤਕਨੀਕੀ ਸਹਾਇਤਾ ਨਾਲ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਦੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਅਤੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਉੱਚ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਰੱਖਦਾ ਹੈ।
